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LED芯片是LED显现屏等产物的心脏，其首要功效便是把电能转化成光能，在利用进程中，LED芯片也会呈现各类百般的题目，此刻就让三思带大家一路看看LED芯片普通利用环境下能够会呈现得六大题目吧！

1、正向电压下降、暗光

（1）一种是电极与发光资料为欧姆打仗，但打仗电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极缺损而至。

（2）一种是电极与资料为非欧姆打仗，首要发生在芯片电极制备进程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印，散布地位。

别的封装进程中也能够形成正向压下降，此中银胶固化不充实，支架或芯片电极沾污等缘由将会形成打仗电阻大或打仗电阻不不变。

正向压下降的芯片在牢固电压测试时，经由进程芯片的电流小，从而表现暗点，还有一种暗光景象是芯片自身发光效力低，正向压降普通。

2、难压焊

（1）打不粘：首要因为电极外表有胶或被氧化

（2）有与发光资料打仗不牢和加厚焊线层不牢，此中以加厚层零落为主。

（3）打穿电极：凡是和芯片资料有关，脆且强度不高的资料易打穿电极。

（4）压焊调试应从支架定位、压力、金球巨细、焊接温度、超声时候等停止调剂。

3、发光色彩差别

（1）统一张芯片发光色彩有较着差别首要是因为内涵片资料题目，ALGAINP四元素资料接纳量子布局很薄，成长是很难保障各地区组分分歧。

（2）GAP黄绿芯片，发光波长虽不会有很大误差，但因为人眼对这个波段色彩敏感，很轻易查出偏黄，偏绿。又因为波长是内涵片资料决议的，地区越小，呈现色彩误差观点越小，故在M／T功课中有临近拔取法。

（3）因为其发光机理为直接跃进，GAP白色芯片有的发光色彩是偏橙黄色。当受杂质浓度影响，电流密度加大时，易发生杂质能级偏移和发光饱和，发光是才起头变为橙黄色。

4、闸流体效应

（1）是发光二极管在普通电压下没法导通，当电压加高到必然水平，电流发生渐变得景象。

（2）发生闸流体景象缘由是发光资料内涵片成长时呈现了反向夹层，有此景象的LED显现屏在IF＝20MA时测试的正向压降有埋没性，在利用进程是出于南北极电压不够大，表现为不亮，可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线，或也能够经由进程小电流IF＝10UA下的正向压降来发明，小电流下的正向压降较着偏大，则能够是该题目而至。

5、反向泄电流IR

根据LED之前的惯例划定，是指反向电压在5V时的反向泄电流。跟着发光二极管机能的进步，反向泄电流会愈来愈小，由此发生缘由为电子的不法则挪动。

（1）芯片自身品德题目缘由，能够晶片自身切割非常而至使。

（2）银胶点的太多，严峻时会致使短路。内涵形成的反向泄电首要由PN结外部布局缺点而至，芯片建造进程中正面侵蚀不够或有银胶丝沾附在测面，严禁用无机溶液分配银胶。以防止银胶经由进程毛细景象爬到结区。

（3）静电击伤。内涵资料，芯片建造，器件封装，测试普通5V下反向泄电流为10UA，也能够牢固反向电流下测试反向电压。差别范例的LED反向特征相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可达到一百多伏，而普红芯片则在十几二十伏之间。

（4）焊线压力节制不妥，形成晶片内崩致使IR降低。

处理计划

（1）银胶胶量需节制在晶片高度的1／3～1／2；

（2）人体及机台静电量需节制在50V以下；

（3）焊线第一点的压力应节制在30～45g之间为佳。

6、死灯景象

（1）LED的泄电流过大形成PN结生效，使LED灯点不亮，这类环境普通不会影响其余的LED灯的任务。

（2）LED灯的外部毗连引线断开，形成LED无电流经由进程而发生死灯，这类环境会影响其余的LED灯的普通任务，缘由是因为LED灯任务电压低（红黄橙LED任务电压1．8v－2．2v，蓝绿白LED任务电压2．8－3．2v），普通都要用串、并联来连接，来顺应差别的任务电压，串连的LED灯越多影响越大，只需此中有一个LED灯外部连线开路，将形成该串连电路的整串LED灯不亮，可见这类环境比第一种环境要严峻的多。